压电陶瓷晶片的电气参数规范

1.驱动电压限制

以厚度1mm的PZT-5A晶片为例，其更大允许电场强度为2kV/mm，即对应电压不超过200V。过电压会引发畴壁不可逆位移，表现为电容值下降（典型衰减率>15%）。可以使用占空比≤50%的脉冲驱动，峰峰值电压应低于材料耐压值的70%。

2.频率匹配

谐振频率（fr）与反谐振频率（fa）是关键参数。以直径20mm的圆片为例，其径向振动模式fr≈12kHz，使用时激励信号频率应避开0.7fr~1.3fa的盲区。频率失配会导致能量转换效率降低（可低于设计值40%），建议通过阻抗分析仪（如Keysight4294A）实测后确定更佳工作点。