压电陶瓷晶片的位移估算

　　 超声波压电陶瓷片的位移估算是利用逆压电效应，即向压电陶瓷施加电压，压电陶瓷将在电场的影响下发生变形位移。

　　 1. 位移的粗略估计

　　 最大耐压下的超声波压电陶瓷片的位移通常为位移方向长度的约1‰，例如，1 mm厚的陶瓷片，最大耐压为1000 v，最大耐压为1000 v，厚度方向的最大位移约为1 μm。

　　 2. 超声波压电陶瓷片的位移估算；

　　 其中: u :外加电压[ v ]，h :陶瓷高度[ m ]，e :电场强度[ v / m ]，d :压电系数[ m / v ]，w :陶瓷宽度[ m ]。

　　 从以上公式可以看出，片状超声波压电陶瓷片的位移仅与材料和提供的电压有关，但是对于相同的材料，只要施加相同的电压，不同高度的陶瓷片产生的位移基本上是相同的(记住:电压不能超过可以承受的最大电压)。

　　 根据这个计算公式，其他形状也可以用来估计位移。

　　 3. 单层陶瓷在共振频率点工作时产生的振幅最大。

　　 当感测或发电时，估计输出电压

　　 当超声波压电陶瓷芯片用作传感器时，它利用其正压电效应I.e. 它通过施加外力来输出电荷而变形。

　　 输出电压理论估算公式:

　　 其中: d33 :是材料常数，f :是力，h :是高度，r :是晶片的半径。

　　 例如，晶片NCE41 - DISC - OD20 - TH5的材料系数为25. 5 * 1013，当施加12500 N力时，理论估算电压为5000V。

       单层陶瓷的型号选择:超声波压电陶瓷片产品通常是大规模定制的，所以我们不提供超声波压电陶瓷片组件作为标准产品。 然而，也将有一些模型库存. 建议您从库存中选择型号进行性能测试，供货时间短，成本控制简单。